АО "ЦКБ "Дейтон"

Изменения в Базе данных по полупроводниковым приборам от 6 декабря 2016 года
ИПМ56А-16К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А-16Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А-16Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А-16С Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А-16Б Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А1-24К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А1-24Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А1-24Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А1-24С Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А1-24Б Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А-16К Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А-16Ж Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А-16Л Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А-16С Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А-16Б Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А1-12К Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А1-12Ж Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А1-12Л Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А1-12С Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПМ55А1-12Б Индикаторы полупроводниковые мнемонические
КИПД163А-К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
КИПД163А-Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
КИПД163А-Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
КИПД163А-С Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
КИПД163А-Б Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
ИПЦ52А9-1/7К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые одноразрядные
ИПЦ52А91-1/7К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые одноразрядные
ИПЦ52А9-1/7Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые одноразрядные
ИПЦ52А91-1/7Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые одноразрядные
ИПЦ52А9-1/7Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые одноразрядные
ИПЦ52А91-1/7Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые одноразрядные
ИПЦ52А9-2/7К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые двухразрядные
ИПЦ52А91-2/7К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые двухразрядные
ИПЦ52А9-2/7Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые двухразрядные
ИПЦ52А91-2/7Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые двухразрядные
ИПЦ52А9-2/7Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые двухразрядные
ИПЦ52А91-2/7Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые цифровые двухразрядные
2ОФ142А Фотодиоды
2ОФ143А Фотодиоды
ИПД163А-К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
ИПД163А-Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
ИПД163А-Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
ИПД163А-С Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
ИПД163А-Б Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
ИПД156В9-Л Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые единичные
2Д906А2/ББ Кремниевые планарно-эпитаксиальные диодные матрицы
2Д906Б2/ББ Кремниевые планарно-эпитаксиальные диодные матрицы
2Д906В2/ББ Кремниевые планарно-эпитаксиальные диодные матрицы
2Е733А Кремниевые биполярные с изолированным затвором переключательные мощные транзисторы (БТИЗ)
2Е733Б Кремниевые биполярные с изолированным затвором переключательные мощные транзисторы (БТИЗ)
2Е734А Кремниевые биполярные с изолированным затвором переключательные мощные транзисторы (БТИЗ)
2В110А3-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Б3-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110В3-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Г3-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Д3-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Е3-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Ж3-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110А91-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Б91-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110В91-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Г91-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Д91-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Е91-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110Ж91-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110АС9-НТ Варикапные матрицы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110БС9-НТ Варикапные матрицы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ВС9-НТ Варикапные матрицы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ГС9-НТ Варикапные матрицы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ДС9-НТ Варикапные матрицы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ЕС9-НТ Варикапные матрицы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ЖС9-НТ Варикапные матрицы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110АН5-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110БН5-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ВН5-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ГН5-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ДН5-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ЕН5-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
2В110ЖН5-НТ Варикапы кремниевые эпитаксиально-диффузионные
3В110А Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Б Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110В Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Г Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Д Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Е Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Ж Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110А9 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Б9 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110В9 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Г9 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Д9 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Е9 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110Ж9 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110АС9 Варикапные матрицы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110БС9 Варикапные матрицы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ВС9 Варикапные матрицы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ГС9 Варикапные матрицы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ДС9 Варикапные матрицы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ЕС9 Варикапные матрицы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ЖС9 Варикапные матрицы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110АН5 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110БН5 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ВН5 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ГН5 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ДН5 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ЕН5 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные
3В110ЖН5 Варикапы арсенидогаллиевые мезаэпитаксиальные

Изменения в Базе данных по полупроводниковым приборам от 13 декабря 2016 года

2Т3202А9 Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный п-р-п малошумящий СВЧ транзистор
2Т3202А91 Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный п-р-п малошумящий СВЧ транзистор
2Т3202Б9 Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный п-р-п малошумящий СВЧ транзистор
2Т3202В9 Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный п-р-п малошумящий СВЧ транзистор
2Д436А Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д436А1 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д437А Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д682А Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д682Б Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д682В Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д536А Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д536Б Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д536В Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д536В1 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д666А Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д682А-5 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д682Б-5 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д682В-5 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д666А-5 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д536А-5 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д536Б-5 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
2Д536В-5 Кремниевые мощные быстровосстанавливающиеся диоды (БВД)
3П3107АН5 Бескорпусной полевой малошумящий транзистор
2Д2997А-ТМ Кремниевые мезадиффузионные выпрямительные диоды
2Д2997Б-ТМ Кремниевые мезадиффузионные выпрямительные диоды
2Д2997В-ТМ Кремниевые мезадиффузионные выпрямительные диоды
КТ8197А-2 Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п низковольтные генераторные СВЧ транзисторы
КТ8197Б-2 Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п низковольтные генераторные СВЧ транзисторы
КТ8197В-2 Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п низковольтные генераторные СВЧ транзисторы
КТ9189А-2 Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п низковольтные генераторные СВЧ транзисторы
КТ9189Б-2 Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п низковольтные генераторные СВЧ транзисторы
КТ9189В-2 Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п низковольтные генераторные СВЧ транзисторы
3П3108АН5 Бескорпусные арсенид-галлиевые с барьером Шоттки с каналом п-типа проводимости транзисторы
3П3108БН5 Бескорпусные арсенид-галлиевые с барьером Шоттки с каналом п-типа проводимости транзисторы
2П9123А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные линейные LDMOS n-канальные мощные сверхвысокочастотные
2П9123Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные линейные LDMOS n-канальные мощные сверхвысокочастотные
2П9123В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные линейные LDMOS n-канальные мощные сверхвысокочастотные
3П3106АН2 Двухзатворный арсенид-галлиевый полевой транзистор с гетеропереходом
3А702А Диоды СВЧ арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные
3А702Б Диоды СВЧ арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные
2Т363А/ДА Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р СВЧ транзисторы
2Т363Б/ДА Кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р СВЧ транзисторы

Изменения в БД от 27 февраля 2017 г.
2Т888В 03.02.2017 Кремниевые эпитаксиально-планарные мощные высоковольтные р-п-р транзисторы ЗАО "Группа Кремний Эл"
2Д102А3/ББ 06.02.2017 Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды ОАО "БЗПП"
2Д102Б3/ББ 06.02.2017 Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды ОАО "БЗПП"
2Д103А2/ББ 07.02.2017 Кремниевые эпитаксиально-планарные диоды ОАО "БЗПП"
2П9123А 08.02.2017 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные линейные LDMOS n-канальные мощные сверхвысокочастотные АО "НИИЭТ"
2П9123Б 08.02.2017 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные линейные LDMOS n-канальные мощные сверхвысокочастотные АО "НИИЭТ"
2П9123В 08.02.2017 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные линейные LDMOS n-канальные мощные сверхвысокочастотные АО "НИИЭТ"
3П3106АН2 08.02.2017 Двухзатворный арсенид-галлиевый полевой транзистор с гетеропереходом ОАО "ОКБ-Планета"
2ДФ139А-4 27.02.2017 Многоэлементные фотодиоды,бескорпусные планарные кремниевые 16-ти элементные p-i-n АО "НПП "Пульсар"
2ДФ139Б-4 27.02.2017 Многоэлементные фотодиоды,бескорпусные планарные кремниевые 16-ти элементные p-i-n АО "НПП "Пульсар"
ИПВ07А-1/8х8К 27.02.2017 Индикаторы полупроводниковые буквенно-цифровые без встроенного управления однообразные матричные АО "Протон"
ИПВ07А-1/8х8К 27.02.2017 Индикаторы полупроводниковые буквенно-цифровые без встроенного управления однообразные матричные АО "Протон"
32ДЛ-526 27.02.2017 Модули полупроводниковых лазеров (решетки лазерных диодов) ОАО "НИИ "Полюс" им.М.Ф.Стельмаха"
43ДЛ-527 27.02.2017 Модуль полупроводникового лазера ОАО "НИИ "Полюс" им.М.Ф.Стельмаха"
ИЛПН-247 27.02.2017 Унифицированный ряд гетеролазеров ОАО "НИИ "Полюс" им.М.Ф.Стельмаха"
ИЛПИ-138-1 ЖГДК.433751.098 ТУ 27.02.2017 Гетеролазер ОАО "НИИ "Полюс" им.М.Ф.Стельмаха"
ИЛПИ-138-2 ЖГДК.433751.098-01 ТУ 27.02.2017 Гетеролазер ОАО "НИИ "Полюс" им.М.Ф.Стельмаха"
3П9126А ТУ 27.02.2017 Внутрисогласованные сверхвысокочастотные полевые транзисторы АО "НПП "Пульсар"
3П9126Б АЕЯР.432150.724 ТУ 27.02.2017 Внутрисогласованные сверхвысокочастотные полевые транзисторы АО "НПП "Пульсар"
3П9126В АЕЯР.432150.724 ТУ 27.02.2017 Внутрисогласованные сверхвысокочастотные полевые транзисторы АО "НПП "Пульсар"

В период с 1 мая по 11 мая в архив ЦКБ "Дейтон" поступило одно техническое условие на
Полевой транзистор бескорпусной КПЕ106АН5

В период с 11 мая по 19 июня в архив АО "ЦКБ "Дейтон" поступили ТУ на следующие ПП
КПЕ218АН5 Кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные с изолированным затвором (МОП) переключательные мощные транзисторы
КПЕ218БН5 Кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные с изолированным затвором (МОП) переключательные мощные транзисторы
КПЕ218ВН5 Кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные с изолированным затвором (МОП) переключательные мощные транзисторы
3А702А Диоды СВЧ арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные
3А702Б Диоды СВЧ арсенид-галлиевые мезаэпитаксиальные
КП9115АС Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые n-канальные с изолированным затвором мощные длинноимпульсные СВЧ LDMOS транзисторы
КП9115БС Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые n-канальные с изолированным затвором мощные длинноимпульсные СВЧ LDMOS транзисторы
3П3107АН5 Бескорпусной полевой малошумящий транзистор
2ПЕ206А9 Кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные с изолированным затвором (МОП) переключательные мощные транзисторы
2ПЕ207А9 Кремниевые эпитаксиально-планарные n-канальные с изолированным затвором (МОП) переключательные мощные транзисторы

C 19 июня по 16 августа 2017 года в архив АО "ЦКБ "Дейтон" поступили технические условия на следующие полупроводниковые приботы:
ИПВ07А-1/8х8К Индикаторы полупроводниковые буквенно-цифровые без встроенного управления однообразные матричные
ИПВ07А-1/8х8Л Индикаторы полупроводниковые буквенно-цифровые без встроенного управления однообразные матричные
ИПМ56А-16К Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А-16Ж Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А1-24С Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические
ИПМ56А1-24Б Индикаторы знакосинтезирующие полупроводниковые мнемонические

В АО «ЦКБ «Дейтон» в августе 2019 года обновлен "Указатель конструкторской документации. Приборы полупроводниковые" часть 1.
Редакция 2019 г.
Приборы полупроводниковые. Указатель конструкторской документации часть 1 / Составители :
Л.П. Маршалкина, Н.П. Суслова, О.В. Павлова, А.И. Владимиров — М.: АО «ЦКБ «Дейтон», 2019 г., 278 стр.

В АО «ЦКБ «Дейтон» в августе 2019 года обновлен "Указатель конструкторской документации. Приборы полупроводниковые" часть 2.
Редакция 2019 г.
Приборы полупроводниковые. Указатель конструкторской документации часть 2 / Составители :
Л.П. Маршалкина, Н.П. Суслова, О.В. Павлова, А.И. Владимиров — М.: АО «ЦКБ «Дейтон», 2019 г., 287 стр.

Настоящий указатель является справочным пособием разработчикам, проектировщикам, студентам и преподавателям учебных заведений, работникам и служащим учреждений и организаций радиоэлектронной промышленности. В настоящем указателе приведено более 2100 документов на изделия с указанием их области применения и кода ОКП, позволяющего определять класс изделия при их выборе. Условные обозначения изделий расположены на страницах каталога по первым трем символам изделий.

С августа 2019г. по январь 2020г. в архив АО "ЦКБ "Дейтон" поступили технические условия на следующие полупроводниковые приборы:
АЕЯР.432140.791ТУ
АДКБ.432220.563ТУ
АЕЯР.432220.844ТУ
АЕЯР.432220.590ТУ
АЕЯР.432140.834ТУ
АДКБ.432140.566ТУ
АЕЯР.432120.784ТУ

В период с января по февраль 2020г. в архив АО "ЦКБ "Дейтон" поступили технические условия на следующие полупроводниковые приборы:
АЕЯР.432120.878ТУ
АЕЯР.432130.804ТУ
АЕЯР.432120.786ТУ
АЕЯР.432170.785ТУ
АЕЯР.432120.809ТУ
АДБК.432120.402ТУ
АЕЯР.432120.763ТУ
АДКБ.432120.344ТУ
АЕЯР.432120.803ТУ
АЕЯР.432120.813ТУ
АДБК.432120.402ТУ
АДКБ.432120.344ТУ
АЕЯР.432220.765ТУ
АЕЯР.432220.766ТУ
АЕЯР.432220.768ТУ
АЕЯР.432220.767ТУ
АЕЯР.432220.769ТУ
АЕЯР.432220.770ТУ
АЕЯР.432220.771ТУ
АЕЯР.432220.776ТУ
АЕЯР.432150.724ТУ
АЕЯР.432150.725ТУ
АЕЯР.432150.727ТУ
АЕЯР.432130.804ТУ
АЕЯР.432140.509ТУ
АДБК.432120.656ТУ
АДКБ.432160.100ТУ
АЕЯР.432120.784ТУ
АДКБ.432140.512ТУ
АЕЯР.432170.785ТУ

В АО «ЦКБ «Дейтон» 28 февраля 2020 года обновлен "Указатель конструкторской документации. Приборы полупроводниковые" книга 1.
Редакция 2020 г.
Указатель конструкторской документации. Приборы полупроводниковые. Книга 1 / Составители :
Л.П. Маршалкина, Н.П. Суслова, О.В. Павлова, А.И. Владимиров — М.: АО «ЦКБ «Дейтон», 2020 г., 221 стр.

В АО «ЦКБ «Дейтон» 28 февраля 2020 года обновлен "Указатель конструкторской документации. Приборы полупроводниковые" книга 2.
Редакция 2020 г.
Указатель конструкторской документации. Приборы полупроводниковые. Книга 2 / Составители :
Л.П. Маршалкина, Н.П. Суслова, О.В. Павлова, А.И. Владимиров — М.: АО «ЦКБ «Дейтон», 2020 г., 219 стр.

Настоящий указатель является справочным пособием разработчикам, проектировщикам, студентам и преподавателям учебных заведений, работникам и служащим учреждений и организаций радиоэлектронной промышленности.
Информация для указателей получена в результате обобщения и анализа конструкторских документов на приборы полупроводниковые. Использование указателя позволит оптимизировать выбор изделий при разработке радиоэлектронной аппаратуры.
В настоящем указателе приведено более 2100 ТУ на изделия, поступивших в АО "ЦКБ "Дейтон" в период с 01.01.2000 по 30.12.2019г.г., с указанием их функционального назначения и кодов ОКП и ОКПД2, позволяющего определять класс изделия при их выборе.