В период за июнь-июль 2021г. в АО "ЦКБ"Дейтон" поступили ТУ на следующие полупроводниковые приборы:

BraginSV
Сообщения: 68
Зарегистрирован: 16 окт 2020, 13:23

В период за июнь-июль 2021г. в АО "ЦКБ"Дейтон" поступили ТУ на следующие полупроводниковые приборы:

Сообщение BraginSV » 05 авг 2021, 15:03

ОС2Д906А2-ББ АЕЯР.432120.762ТУ Матрицы диодные кремниевые планарно-эпитаксиальные
ОС2Д906Б2-ББ АЕЯР.432120.762ТУ Матрицы диодные кремниевые планарно-эпитаксиальные
ОС2Д906В2-ББ АЕЯР.432120.762ТУ Матрицы диодные кремниевые планарно-эпитаксиальные
2Т8144А АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144АМ АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144Б АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144БМ АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144В АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144ВМ АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144А1 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144АМ1 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144Б1 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144БМ1 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144В1 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144ВМ1 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144А2 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144АМ2 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144Б2 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144БМ2 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144В2 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
2Т8144ВМ2 АЕЯР.432140.261ТУ Кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные транзисторы
КТ802А ЖК3.365.156ТУ Кремниевые меза-планарные мощные n-p-n транзисторы
КТ802А1 ЖК3.365.156ТУ Кремниевые меза-планарные мощные n-p-n транзисторы
КТ809А аА0.365.003ТУ Кремниевые меза-планарные n-p-n мощные переключательные транзисторы
КТ809А1 аА0.365.003ТУ Кремниевые меза-планарные n-p-n мощные переключательные транзисторы
КТ961А аА0.336.358ТУ Кремниевые планарные n-p-n транзисторы
КТ961Б аА0.336.358ТУ Кремниевые планарные n-p-n транзисторы
КТ961В аА0.336.358ТУ Кремниевые планарные n-p-n транзисторы
КТ961Г аА0.336.358ТУ Кремниевые планарные n-p-n транзисторы
2П7242А9 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2П7243А9 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2П7244А9 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2П7245А9 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2П7246А9 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2П7243А91 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2П7244А91 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2П7245А91 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2П7246А91 АЕЯР.432140.607ТУ Мощные кремниевые планарные полевые с каналом n-типа транзисторы
2Д707АС9/ПК АЕЯР.432120.260ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные наборы двух последовательно соединенных диодов
2Д707Б9/ПК АЕЯР.432120.260ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные наборы двух последовательно соединенных диодов
2Д707ВС9/ПК АЕЯР.432120.260ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные наборы двух последовательно соединенных диодов
2Д707АС-5/ПК АЕЯР.432120.260ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные наборы двух последовательно соединенных диодов в бескорпусном исполнении на общей пластине
2Д803АС9/ПК АЕЯР.432120.277ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные наборы импульсных диодов с общим катодом
2Д803БС9/ПК АЕЯР.432120.277ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные наборы импульсных диодов с общим катодом
2Д803ВС9/ПК АЕЯР.432120.277ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные наборы импульсных диодов с общим катодом
2Д706АС9/ПК АЕЯР.432120.333ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух диодов с общим анодом
2Д706БС9/ПК АЕЯР.432120.333ТУ Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух диодов с общим анодом

Вернуться в «Приборы полупроводниковые. Указатель конструкторской документации»

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 9 гостей