На заседании были рассмотрены следующие вопросы:
- диагностика UMG мультикристаллического кремния для солнечной энергетики; плазмон-усиленное ближнепольное комбинационное рассеяние света для локального спектрального анализа полупроводниковых наноструктур;
- рентгеновские методы диагностики материалов и элементной компонентной базы микро-и наноэлектроники;
- характеризация полупроводниковых материалов Si, SiC, GaN, Ga2O3 методами РЭМ;
- методы атомно-силовой микроскопии для исследования электрофизических свойств материалов и структур микроэлектроники; методы диагностики эпитаксиального карбида кремния на кремнии как нового материала для спинтроники;
- масс-спектрометрия с индуктивно связанной плазмой в анализе чистых веществ и материалов;
- предложение по разработке масс-спектрометра нового типа с использованием синхротронного излучения;
- фотоэмиссия сугловым и спиновым разрешением в изучении квантовых материалов: возможности новой фотоэмиссионной установки в ИФП СО РАН и ARPES станции на синхротроне СКИФ;
- определение отклонения от стехиометрии в А2В6 по составу равновесной паровой фазы;
- In-situ эллипсометрический мониторинг процессов роста гетероструктур HgCdTe;
- фемтосекундная оптика для диагностики наноматериалов и наноструктур;
- нейтронная и синхротронная диагностика фазоизменяемых материалов нового поколения.
Заседание проходило под руководством академика РАН, доктора технических наук, профессора, академика-секретаря Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, Г.Я.Красникова.
Участие в заседании позволило специалистам АО «ЦКБ «Дейтон» получить новые знания, которые будут использованные для выполнения текущих работ по: обобщению и анализу информации об изделиях и материалах к ним, их классификации, моделированию, унификации и импортозамещению, разработке и экспертизе стандартов, оценке правильности применения изделий радиоэлектроники в радиоэлектронной аппаратуре, разработке информационно-справочных материалов по изделиям радиоэлектроники, импортным аналогах, применяемым материалам, нормативно-техническим документам.
